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HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Nur als Referenz

Teilenummer HGTD7N60C3S9A
PNEDA Teilenummer HGTD7N60C3S9A
Beschreibung IGBT 600V 14A 60W TO252AA
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.408
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HGTD7N60C3S9A Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTD7N60C3S9A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
HGTD7N60C3S9A, HGTD7N60C3S9A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 285,72 KB)
PDFHGTD7N60C3S9A Datenblatt Cover
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HGTD7N60C3S9A Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)14A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)56A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 7A
Leistung - max60W
Schaltenergie165µJ (on), 600µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge23nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

88A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 10A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/100ns

Testbedingung

960V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.6µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

APT36GA60BD15

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

109A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

307µJ (on), 254µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

1.55mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

48nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-SMD Module

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS-SMPD™.B

IXGA20N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/350ns

Testbedingung

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

FGL60N100BNTD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

275nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

140ns/630ns

Testbedingung

600V, 60A, 51Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.2µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

Kürzlich verkauft

MMBF170

MMBF170

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

WSL2512R0500FEA

WSL2512R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 2512

PCMB063T-3R3MS

PCMB063T-3R3MS

Susumu

FIXED IND 3.3UH 6A 30 MOHM SMD

ATMEGA162-16PU

ATMEGA162-16PU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 16KB FLASH 40DIP

MAX1681ESA

MAX1681ESA

Maxim Integrated

IC REG CHARGE PUMP INV 8SOIC

IS42S16160J-6BLI

IS42S16160J-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

5KP30A

5KP30A

Littelfuse

TVS DIODE 30V 48.4V P600

MBR0540T1G

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ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123

SD101CW-7-F

SD101CW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 15MA SOD123

MAX14780EESA+T

MAX14780EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

D2-24044-MR

D2-24044-MR

Renesas Electronics America Inc.

IC DGTL AMP AUDIO PWR D 38HTSSOP