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FGL60N100BNTD

FGL60N100BNTD

Nur als Referenz

Teilenummer FGL60N100BNTD
PNEDA Teilenummer FGL60N100BNTD
Beschreibung IGBT 1000V 60A 180W TO264
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 20.496
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FGL60N100BNTD Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGL60N100BNTD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGL60N100BNTD, FGL60N100BNTD Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 511,48 KB)
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FGL60N100BNTD Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypNPT and Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 60A
Leistung - max180W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge275nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.140ns/630ns
Testbedingung600V, 60A, 51Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)1.2µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

350µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/165ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRGS4056DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

75µJ (on), 225µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/83ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 100A

Leistung - max

1700W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

585nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/250ns

Testbedingung

480V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

FGPF70N33BTTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 70A

Leistung - max

48W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

370A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 100A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

5.5mJ (on), 5.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

470nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/275ns

Testbedingung

600V, 100A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

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