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SGL160N60UFTU

SGL160N60UFTU

Nur als Referenz

Teilenummer SGL160N60UFTU
PNEDA Teilenummer SGL160N60UFTU
Beschreibung IGBT 600V 160A 250W TO3PF
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.776
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SGL160N60UFTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGL160N60UFTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGL160N60UFTU, SGL160N60UFTU Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 573,73 KB)
PDFSGL160N60UFTU Datenblatt Cover
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SGL160N60UFTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)160A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 80A
Leistung - max250W
Schaltenergie2.5mJ (on), 1.76mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge345nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/90ns
Testbedingung300V, 80A, 3.9Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FGB5N60UNDF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 5A

Leistung - max

73.5W

Schaltenergie

80µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12.1nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

5.4ns/25.4ns

Testbedingung

400V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB (D²PAK)

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

126A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 16A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

4.75mJ (on), 3.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

97nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/260ns

Testbedingung

1250V, 16A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

19ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

SKW25N120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

46A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

313W

Schaltenergie

3.7mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/730ns

Testbedingung

800V, 25A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.16mJ (on), 470µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

79nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/93ns

Testbedingung

600V, 20A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

57nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/148ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

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