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IXGX320N60B3

IXGX320N60B3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGX320N60B3
PNEDA Teilenummer IXGX320N60B3
Beschreibung IGBT 600V 500A 1700W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.922
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IXGX320N60B3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGX320N60B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXGX320N60B3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)1200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 100A
Leistung - max1700W
Schaltenergie2.7mJ (on), 3.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge585nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.44ns/250ns
Testbedingung480V, 100A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

80µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/116ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

138nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/115ns

Testbedingung

480V, 40A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IKFW50N60DH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

53A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

145W

Schaltenergie

1.22mJ (on), 610µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/212ns

Testbedingung

400V, 40A, 8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

64ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-AI

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 42A

Leistung - max

1040W

Schaltenergie

3.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

358nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/418ns

Testbedingung

1360V, 42A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

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Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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