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IXGX320N60B3

IXGX320N60B3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGX320N60B3
PNEDA Teilenummer IXGX320N60B3
Beschreibung IGBT 600V 500A 1700W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.922
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGX320N60B3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGX320N60B3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXGX320N60B3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)1200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 100A
Leistung - max1700W
Schaltenergie2.7mJ (on), 3.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge585nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.44ns/250ns
Testbedingung480V, 100A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

150µJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IRG4BC30FDSTRRP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

630µJ (on), 1.39mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/230ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

270µJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/160ns

Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

HGTG7N60A4D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

55µJ (on), 60µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/100ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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IRG4PF50WDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

51A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

204A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 28A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

2.63mJ (on), 1.34mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

71ns/150ns

Testbedingung

720V, 28A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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TO-247-3

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