IRG4PF50WDPBF
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| Teilenummer | IRG4PF50WDPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRG4PF50WDPBF |
| Beschreibung | IGBT 900V 51A 200W TO247AC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.440 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4PF50WDPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4PF50WDPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG4PF50WDPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 900V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 51A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 204A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 28A |
| Leistung - max | 200W |
| Schaltenergie | 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 160nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 71ns/150ns |
| Testbedingung | 720V, 28A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 110µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/100ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Littelfuse Inc. Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 390V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A Leistung - max 125W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/5µs Testbedingung 300V, 9A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 63A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 125A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A Leistung - max 250W Schaltenergie 3.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 127nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/284ns Testbedingung 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 40A Leistung - max 290W Schaltenergie 1.13mJ (on), 310µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/115ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 25A Leistung - max 201.6W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/70ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
