APT25GN120SG
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| Teilenummer | APT25GN120SG |
| PNEDA Teilenummer | APT25GN120SG |
| Beschreibung | IGBT 1200V 67A 272W D3PAK |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.886 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT25GN120SG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT25GN120SG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT25GN120SG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 67A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 272W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 155nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/280ns |
| Testbedingung | 800V, 25A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | D3Pak |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 23A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 10A Leistung - max 25W Schaltenergie 600µJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 700ns/1.2µs Testbedingung 480V, 10A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
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