RJH1BF7RDPQ-80#T2
Nur als Referenz
| Teilenummer | RJH1BF7RDPQ-80#T2 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | RJH1BF7RDPQ-80-T2 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1100V 60A 250W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Renesas Electronics America | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 6.150 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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RJH1BF7RDPQ-80#T2 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJH1BF7RDPQ-80#T2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJH1BF7RDPQ-80#T2, RJH1BF7RDPQ-80#T2 Datenblatt
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RJH1BF7RDPQ-80#T2 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1100V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 107A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A Leistung - max 366W Schaltenergie 1185µJ (on), 1565µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 325nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/230ns Testbedingung 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
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