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IXYT25N250CHV

IXYT25N250CHV

Nur als Referenz

Teilenummer IXYT25N250CHV
PNEDA Teilenummer IXYT25N250CHV
Beschreibung IGBT 2500V 235A TO-268HV
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.824
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXYT25N250CHV Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYT25N250CHV
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYT25N250CHV, IXYT25N250CHV Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 273,64 KB)
PDFIXYH25N250CHV Datenblatt Cover
IXYH25N250CHV Datenblatt Seite 2 IXYH25N250CHV Datenblatt Seite 3 IXYH25N250CHV Datenblatt Seite 4 IXYH25N250CHV Datenblatt Seite 5 IXYH25N250CHV Datenblatt Seite 6

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IXYT25N250CHV Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)95A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)235A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 25A
Leistung - max937W
Schaltenergie8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge147nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/230ns
Testbedingung1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)34ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268HV (IXYT)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/4.8µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 36A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

930µJ (on), 1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/330ns

Testbedingung

400V, 36A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

RJH1BG7RDPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

STGW60H65F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

750µJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

217nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

65ns/180ns

Testbedingung

400V, 60A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

STGF20V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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Paket / Fall

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