IXGQ50N60B4D1
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| Teilenummer | IXGQ50N60B4D1 |
| PNEDA Teilenummer | IXGQ50N60B4D1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 100A 300W TO3P |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.348 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 20 - Dez 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IXGQ50N60B4D1 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGQ50N60B4D1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGQ50N60B4D1 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 230A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 36A |
| Leistung - max | 300W |
| Schaltenergie | 930µJ (on), 1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 110nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 37ns/330ns |
| Testbedingung | 400V, 36A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 118A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 224A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A Leistung - max 543W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/100ns Testbedingung 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 80ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D3Pak |
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