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IXGH32N60BD1

IXGH32N60BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH32N60BD1
PNEDA Teilenummer IXGH32N60BD1
Beschreibung IGBT 600V 60A 200W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.896
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IXGH32N60BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH32N60BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH32N60BD1, IXGH32N60BD1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 127,24 KB)
PDFIXGT32N60BD1 Datenblatt Cover
IXGT32N60BD1 Datenblatt Seite 2 IXGT32N60BD1 Datenblatt Seite 3 IXGT32N60BD1 Datenblatt Seite 4 IXGT32N60BD1 Datenblatt Seite 5

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IXGH32N60BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 32A
Leistung - max200W
Schaltenergie600µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge110nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/100ns
Testbedingung480V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

170µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/105ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247A

IHW20N120R2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 20A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

143nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/359ns

Testbedingung

600V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

320A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

700A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 15V, 100A

Leistung - max

1000W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

560nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

Leistung - max

136W

Schaltenergie

230µJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/140ns

Testbedingung

400V, 20A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

STGP20NC60V

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

220µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/100ns

Testbedingung

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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