IRG4IBC30FD
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG4IBC30FD |
| PNEDA Teilenummer | IRG4IBC30FD |
| Beschreibung | IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.760 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4IBC30FD Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4IBC30FD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRG4IBC30FD Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20.3A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Leistung - max | 45W |
| Schaltenergie | 630µJ (on), 1.39mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 51nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 42ns/230ns |
| Testbedingung | 480V, 17A, 23Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB Full-Pak |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1350V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 20A Leistung - max 310W Schaltenergie 1.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 195nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/335ns Testbedingung 600V, 20A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Variant Lieferantengerätepaket PG-TO247HC-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 125W Schaltenergie 25µJ (on), 58µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 30nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 7.7ns/87ns Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 31ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max 375W Schaltenergie 750µJ (on), 550µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 334nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/208ns Testbedingung 400V, 60A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 92A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 168A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A Leistung - max 357W Schaltenergie 900µJ (on), 580µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 203nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/100ns Testbedingung 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 194W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/88ns Testbedingung 400V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket LPDS |
