RJP65T43DPQ-A0#T2
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| Teilenummer | RJP65T43DPQ-A0#T2 |
| PNEDA Teilenummer | RJP65T43DPQ-A0-T2 |
| Beschreibung | IGBT TRENCH 650V 60A TO247A |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.176 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RJP65T43DPQ-A0#T2 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJP65T43DPQ-A0#T2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJP65T43DPQ-A0#T2, RJP65T43DPQ-A0#T2 Datenblatt
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RJP65T43DPQ-A0#T2 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | 170µJ (on), 130µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 69nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 35ns/105ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247A |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.91V @ 15V, 10A Leistung - max 101W Schaltenergie 29µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/79ns Testbedingung 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 62ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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