RJP65T43DPQ-A0#T2 Datenblatt
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Renesas Electronics America
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RJP65T43DPQ-A0#T2
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie 170µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 69nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/105ns Testbedingung 400V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247A |
