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STGW38IH130D

STGW38IH130D

Nur als Referenz

Teilenummer STGW38IH130D
PNEDA Teilenummer STGW38IH130D
Beschreibung IGBT 1300V 63A 250W TO247
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STGW38IH130D Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW38IH130D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW38IH130D, STGW38IH130D Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 825,52 KB)
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STGW38IH130D Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1300V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)63A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)125A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 20A
Leistung - max250W
Schaltenergie3.4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge127nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/284ns
Testbedingung960V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 Long Leads

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

248nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

62ns/220ns

Testbedingung

480V, 75A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

PLUS264™

HGTP5N120BND

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 5A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

450µJ (on), 390µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/160ns

Testbedingung

960V, 5A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

230A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 32A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

89nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

APT50GN60BDQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

107A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 50A

Leistung - max

366W

Schaltenergie

1185µJ (on), 1565µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

325nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/230ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

STGWT15H60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

H

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

136µJ (on), 207µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

81nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24.5ns/118ns

Testbedingung

400V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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