STGWT60H65DFB
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| Teilenummer | STGWT60H65DFB |
| PNEDA Teilenummer | STGWT60H65DFB |
| Beschreibung | IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.252 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 16 - Apr 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGWT60H65DFB Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGWT60H65DFB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGWT60H65DFB Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 240A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 1.09mJ (on), 626µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 306nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 51ns/160ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 58A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A Leistung - max 100W Schaltenergie 600µJ (on), 580µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 67nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/160ns Testbedingung 480V, 16A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 40A Leistung - max 280W Schaltenergie 1.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 190nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/110ns Testbedingung 480V, 40A, 2.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A Leistung - max 214W Schaltenergie 760µJ (on), 720µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/143ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 2.58mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/630ns Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
