APT50GN60BDQ2G
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| Teilenummer | APT50GN60BDQ2G |
| PNEDA Teilenummer | APT50GN60BDQ2G |
| Beschreibung | IGBT 600V 107A 366W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT50GN60BDQ2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT50GN60BDQ2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT50GN60BDQ2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 107A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 366W |
| Schaltenergie | 1185µJ (on), 1565µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 325nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/230ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 160µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 39ns/93ns Testbedingung 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 170A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.88V @ 15V, 30A Leistung - max 30W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 40.3nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11.2ns/40.8ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 240A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A Leistung - max 469W Schaltenergie 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 414nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 84ns/280ns Testbedingung 400V, 80A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 283W Schaltenergie 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/208ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 440V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 4V, 10A Leistung - max 107W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/4µs Testbedingung 300V, 6.5A, 1kOhm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
