APT50GN60BDQ2G
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| Teilenummer | APT50GN60BDQ2G |
| PNEDA Teilenummer | APT50GN60BDQ2G |
| Beschreibung | IGBT 600V 107A 366W TO247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT50GN60BDQ2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT50GN60BDQ2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT50GN60BDQ2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 107A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 366W |
| Schaltenergie | 1185µJ (on), 1565µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 325nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/230ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 27A Leistung - max 200W Schaltenergie 80µJ (on), 320µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 46ns/120ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-273AA Lieferantengerätepaket SUPER-220™ (TO-273AA) |
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