IRGS6B60KDTRRP
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| Teilenummer | IRGS6B60KDTRRP |
| PNEDA Teilenummer | IRGS6B60KDTRRP |
| Beschreibung | IGBT 600V 13A 90W D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGS6B60KDTRRP Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGS6B60KDTRRP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGS6B60KDTRRP Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 13A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 26A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 90W |
| Schaltenergie | 110µJ (on), 135µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 18.2nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 25ns/215ns |
| Testbedingung | 400V, 5A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 540nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 90ns/580ns Testbedingung 600V, 75A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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