RGT8NS65DGC9
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Teilenummer | RGT8NS65DGC9 |
PNEDA Teilenummer | RGT8NS65DGC9 |
Beschreibung | IGBT |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 13.104 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGT8NS65DGC9 Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RGT8NS65DGC9 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGT8NS65DGC9 Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 12A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
Leistung - max | 65W |
Schaltenergie | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 13.5nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/69ns |
Testbedingung | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Lieferantengerätepaket | TO-262 |
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