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IXYH75N65C3H1

IXYH75N65C3H1

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH75N65C3H1
PNEDA Teilenummer IXYH75N65C3H1
Beschreibung IGBT 650V 170A 750W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.446
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IXYH75N65C3H1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH75N65C3H1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYH75N65C3H1, IXYH75N65C3H1 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 231,97 KB)
PDFIXYH75N65C3H1 Datenblatt Cover
IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 2 IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 3 IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 4 IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 5 IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 6 IXYH75N65C3H1 Datenblatt Seite 7

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IXYH75N65C3H1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)170A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 60A
Leistung - max750W
Schaltenergie2.8mJ (on), 1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge123nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.27ns/93ns
Testbedingung400V, 60A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)150ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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ON Semiconductor

Serie

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IGBT-Typ

-

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600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

55µJ (on), 150µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

60nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/100ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Serie

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Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

313W

Schaltenergie

1.21mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/270ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRG4RC20FTRR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

44A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

66W

Schaltenergie

190µJ (on), 920µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/194ns

Testbedingung

480V, 12A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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D-Pak

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

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26A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

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