IRG7PH42UD1PBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG7PH42UD1PBF | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | IRG7PH42UD1PBF | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 85A 313W TO247AC | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Infineon Technologies | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 2 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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IRG7PH42UD1PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG7PH42UD1PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG7PH42UD1PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 85A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 313W |
| Schaltenergie | 1.21mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 180nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/270ns |
| Testbedingung | 600V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 94A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A Leistung - max 379W Schaltenergie 2.315mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/300ns Testbedingung 800V, 35A, 2.2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A Leistung - max 194W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/88ns Testbedingung 400V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket TO-262 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 170A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A Leistung - max 625W Schaltenergie 900µJ (on), 904µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 185nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/102ns Testbedingung 600V, 45A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 12A Leistung - max 34W Schaltenergie 30µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/65ns Testbedingung 300V, 12A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FL |
