IRGC4060B
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| Teilenummer | IRGC4060B |
| PNEDA Teilenummer | IRGC4060B |
| Beschreibung | IGBT CHIP WAFER |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.786 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRGC4060B Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGC4060B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IRGC4060B Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 500A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 100A Leistung - max 460W Schaltenergie 230µJ (on), 520µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 162nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/105ns Testbedingung 200V, 50A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 7.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.95V @ 15V, 1.5A Leistung - max 38W Schaltenergie 19µJ (on), 12µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/60ns Testbedingung 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 200W Schaltenergie 1mJ (on), 1.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 300V, 30A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 5A Leistung - max 62.5W Schaltenergie 45µJ (on), 105µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9.5ns/87ns Testbedingung 400V, 5A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 15A Leistung - max 160W Schaltenergie 320µJ (on), 356µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/44ns Testbedingung 300V, 15A, 13Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
