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APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Nur als Referenz

Teilenummer APT11GF120KRG
PNEDA Teilenummer APT11GF120KRG
Beschreibung IGBT 1200V 25A 156W TO220
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.408
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APT11GF120KRG Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT11GF120KRG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
APT11GF120KRG, APT11GF120KRG Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 395,29 KB)
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APT11GF120KRG Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)44A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 8A
Leistung - max156W
Schaltenergie300µJ (on), 285µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge65nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.7ns/100ns
Testbedingung800V, 8A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220 [K]

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RJH60D5DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 37A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

650µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/135ns

Testbedingung

300V, 37A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IXYP8N90C3

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 8A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

460µJ (on), 180µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.3nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/40ns

Testbedingung

450V, 8A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

AOK15B60D

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

510µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/74ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

196ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IXGH10N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

STGWA50M65DF2

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

880µJ (on), 1.57mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/130ns

Testbedingung

400V, 50A, 6.8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

162ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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