APT11GF120KRG
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| Teilenummer | APT11GF120KRG |
| PNEDA Teilenummer | APT11GF120KRG |
| Beschreibung | IGBT 1200V 25A 156W TO220 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.408 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT11GF120KRG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT11GF120KRG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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APT11GF120KRG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 44A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 8A |
| Leistung - max | 156W |
| Schaltenergie | 300µJ (on), 285µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 65nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 7ns/100ns |
| Testbedingung | 800V, 8A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 [K] |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 40A Leistung - max 195W Schaltenergie 570µJ (on), 590µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 175nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/90ns Testbedingung 300V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
