AOD7B65M3
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| Teilenummer | AOD7B65M3 |
| PNEDA Teilenummer | AOD7B65M3 |
| Beschreibung | IGBT 650V 7A TO252 |
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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AOD7B65M3 Ressourcen
| Marke | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | AOD7B65M3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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AOD7B65M3 Technische Daten
| Hersteller | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| Serie | Alpha IGBT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 14A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 21A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 69W |
| Schaltenergie | 108µJ (on), 99µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 14nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 6ns/79ns |
| Testbedingung | 400V, 7A, 43Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 212ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 63W Schaltenergie 180µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/70ns Testbedingung 300V, 12A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 455W Schaltenergie 1.06mJ (on), 1.56mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 126nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 55ns/189ns Testbedingung 400V, 75A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 36ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247-4 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 10A Leistung - max 110W Schaltenergie 430µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 62nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/215ns Testbedingung 400V, 10A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 53A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 145W Schaltenergie 1.22mJ (on), 610µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/212ns Testbedingung 400V, 40A, 8Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 64ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3-AI |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max 250W Schaltenergie 333µJ (on), 537µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 126nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/178ns Testbedingung 390V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 45ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
