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IHW15T120FKSA1

IHW15T120FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IHW15T120FKSA1
PNEDA Teilenummer IHW15T120FKSA1
Beschreibung IGBT 1200V 30A 113W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $41,8282
100 ---------- $39,8675
250 ---------- $37,9068
500 ---------- $35,9461
750 ---------- $34,3122
1.000 ---------- $32,6783
Auf Lager 154.847
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IHW15T120FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIHW15T120FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IHW15T120FKSA1, IHW15T120FKSA1 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 356,58 KB)
PDFIHW15T120FKSA1 Datenblatt Cover
IHW15T120FKSA1 Datenblatt Seite 2 IHW15T120FKSA1 Datenblatt Seite 3 IHW15T120FKSA1 Datenblatt Seite 4 IHW15T120FKSA1 Datenblatt Seite 5 IHW15T120FKSA1 Datenblatt Seite 6 IHW15T120FKSA1 Datenblatt Seite 7 IHW15T120FKSA1 Datenblatt Seite 8 IHW15T120FKSA1 Datenblatt Seite 9 IHW15T120FKSA1 Datenblatt Seite 10 IHW15T120FKSA1 Datenblatt Seite 11

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IHW15T120FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)45A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 15A
Leistung - max113W
Schaltenergie2.7mJ
EingabetypStandard
Gate Charge85nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/520ns
Testbedingung600V, 15A, 56Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)140ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

1.92mJ (on), 850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

37ns/141ns

Testbedingung

400V, 50A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

261ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

13A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 2A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

10.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

920ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

FGH75T65SQDT_F155

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

300µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/120ns

Testbedingung

400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

76ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IRGP6660DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

95A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

144A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

600µJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/155ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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IGBT-Typ

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Strom - Kollektor gepulst (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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