IRG4PC20U
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| Teilenummer | IRG4PC20U |
| PNEDA Teilenummer | IRG4PC20U |
| Beschreibung | IGBT 600V 13A 60W TO247AC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.956 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRG4PC20U Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG4PC20U |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRG4PC20U Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 13A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 52A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 6.5A |
| Leistung - max | 60W |
| Schaltenergie | 100µJ (on), 120µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 27nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 21ns/86ns |
| Testbedingung | 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 49A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 27A Leistung - max 160W Schaltenergie 370µJ (on), 1.81mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/240ns Testbedingung 480V, 27A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 40A Leistung - max 380W Schaltenergie 4.5mJ (on), 3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 138nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/290ns Testbedingung 960V, 40A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 42A Leistung - max 360W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 1.32µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 42A Leistung - max 223W Schaltenergie 120µJ (on), 150µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/113ns Testbedingung 200V, 21A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/60ns Testbedingung 480V, 12A, 18Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
