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STGWA80H65DFB

STGWA80H65DFB

Nur als Referenz

Teilenummer STGWA80H65DFB
PNEDA Teilenummer STGWA80H65DFB
Beschreibung IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis
1 ---------- $65,3713
50 ---------- $62,3070
100 ---------- $59,2427
200 ---------- $56,1784
400 ---------- $53,6249
500 ---------- $51,0713
Auf Lager 4.304
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STGWA80H65DFB Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGWA80H65DFB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGWA80H65DFB, STGWA80H65DFB Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 1.458,74 KB)
PDFSTGY80H65DFB Datenblatt Cover
STGY80H65DFB Datenblatt Seite 2 STGY80H65DFB Datenblatt Seite 3 STGY80H65DFB Datenblatt Seite 4 STGY80H65DFB Datenblatt Seite 5 STGY80H65DFB Datenblatt Seite 6 STGY80H65DFB Datenblatt Seite 7 STGY80H65DFB Datenblatt Seite 8 STGY80H65DFB Datenblatt Seite 9 STGY80H65DFB Datenblatt Seite 10 STGY80H65DFB Datenblatt Seite 11

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STGWA80H65DFB Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
Leistung - max469W
Schaltenergie2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge414nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.84ns/280ns
Testbedingung400V, 80A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)85ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 Long Leads

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

87nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/127ns

Testbedingung

960V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

Hersteller

IXYS

Serie

Lightspeed™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 60A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/320ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

AOD7B65M3

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

21A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 7A

Leistung - max

69W

Schaltenergie

108µJ (on), 99µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

14nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6ns/79ns

Testbedingung

400V, 7A, 43Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

212ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

IXGM20N60A

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

2mJ (on), 2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/600ns

Testbedingung

480V, 20A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-204AE

Lieferantengerätepaket

TO-204AE

Kürzlich verkauft

A6B595KLWTR-T

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Allegro MicroSystems, LLC

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WSL2512R0250FEA

WSL2512R0250FEA

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RES 0.025 OHM 1% 1W 2512

MP4560DN-LF-Z

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IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8SOIC

1N4001G

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DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

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Littelfuse

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MC9S08AC96CLKE

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NXP

IC MCU 8BIT 96KB FLASH 80LQFP

TCS3200D-TR

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ams

IC COLOR SENSOR LIGHT-FREQ 8SOIC

MPSA70RLRMG

MPSA70RLRMG

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TRANS PNP 40V 0.1A TO-92

CDBHD1100L-G

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Comchip Technology

BRIDGE RECT 1P 100V 1A MINI-DIP

FIN1002M5X

FIN1002M5X

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