FGH75T65SQDT-F155
Nur als Referenz
| Teilenummer | FGH75T65SQDT-F155 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | FGH75T65SQDT-F155 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | 650V 75A FS4 TRENCH IGBT | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 7.307 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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FGH75T65SQDT-F155 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGH75T65SQDT-F155 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
FGH75T65SQDT-F155, FGH75T65SQDT-F155 Datenblatt
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FGH75T65SQDT-F155 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 300A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 300µJ (on), 70µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 128nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/120ns |
| Testbedingung | 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 76ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 440V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 50A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 4.5V, 20A Leistung - max 125W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/5µs Testbedingung 300V, 9A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
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