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IRG6S320UPBF

IRG6S320UPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG6S320UPBF
PNEDA Teilenummer IRG6S320UPBF
Beschreibung IGBT 330V 50A 114W D2PAK
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.464
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG6S320UPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG6S320UPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG6S320UPBF, IRG6S320UPBF Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 286,9 KB)
PDFIRG6S320UTRRPBF Datenblatt Cover
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IRG6S320UPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)330V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.65V @ 15V, 24A
Leistung - max114W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge46nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.24ns/89ns
Testbedingung196V, 12A, 10Ohm
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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IKP15N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

105W

Schaltenergie

130µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

38nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/150ns

Testbedingung

400V, 7.5A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

IHW25N120E1XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 25A

Leistung - max

231W

Schaltenergie

800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

147nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

FGH60N60SFDTU-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

378W

Schaltenergie

1.97mJ (on), 570µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/134ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

SKB15N60HSATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

27A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 15A

Leistung - max

138W

Schaltenergie

530µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/209ns

Testbedingung

400V, 15A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

111ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

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