STGD5NB120SZ-1 Datenblatt
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A Leistung - max 75W Schaltenergie 2.59mJ (on), 9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 690ns/12.1µs Testbedingung 960V, 5A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Lieferantengerätepaket I-PAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A Leistung - max 75W Schaltenergie 2.59mJ (on), 9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 690ns/12.1µs Testbedingung 960V, 5A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
