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STGP7NC60HD

STGP7NC60HD

Nur als Referenz

Teilenummer STGP7NC60HD
PNEDA Teilenummer STGP7NC60HD
Beschreibung IGBT 600V 25A 80W TO220
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 17.220
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 25 - Nov 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGP7NC60HD Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGP7NC60HD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGP7NC60HD, STGP7NC60HD Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 1.358,9 KB)
PDFSTGB7NC60HT4 Datenblatt Cover
STGB7NC60HT4 Datenblatt Seite 2 STGB7NC60HT4 Datenblatt Seite 3 STGB7NC60HT4 Datenblatt Seite 4 STGB7NC60HT4 Datenblatt Seite 5 STGB7NC60HT4 Datenblatt Seite 6 STGB7NC60HT4 Datenblatt Seite 7 STGB7NC60HT4 Datenblatt Seite 8 STGB7NC60HT4 Datenblatt Seite 9 STGB7NC60HT4 Datenblatt Seite 10 STGB7NC60HT4 Datenblatt Seite 11

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STGP7NC60HD Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)50A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 7A
Leistung - max80W
Schaltenergie95µJ (on), 115µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge35nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18.5ns/72ns
Testbedingung390V, 7A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)37ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/80ns

Testbedingung

400V, 36A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

IRG4IBC30UD

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

380µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/91ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

RGT00TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

277W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

94nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

42ns/137ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

54ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

DGTD65T40S1PT

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

341W

Schaltenergie

1.15mJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

219nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

58ns/245ns

Testbedingung

400V, 40A, 7.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

145ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG4BC30W

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

130µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/99ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

MAX531BCPD+

MAX531BCPD+

Maxim Integrated

IC DAC 12BIT V-OUT 14DIP

TSML1020

TSML1020

Vishay Semiconductor Opto Division

EMITTER IR 940NM 100MA SMD

DFLS1200-7

DFLS1200-7

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 200V POWERDI123

ADP1706ACPZ-3.3-R7

ADP1706ACPZ-3.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 1A 8LFCSP

5CEFA4U19C8N

5CEFA4U19C8N

Intel

IC FPGA 224 I/O 484UBGA

ADV7180BCPZ

ADV7180BCPZ

Analog Devices

IC VIDEO DECODER SDTV 40-LFCSP

ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

Abracon

XTAL OSC VCTCXO 38.4000MHZ SNWV

VS-30BQ040TRPBF

VS-30BQ040TRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC

MMSS8050-H-TP

MMSS8050-H-TP

Micro Commercial Co

TRANS NPN 25V 1.5A SOT23

SD103AW-E3-08

SD103AW-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V SOD123

24LC512T-I/SN

24LC512T-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 512K I2C 400KHZ 8SOIC

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206