RJP60F5DPK-01#T0
Nur als Referenz
| Teilenummer | RJP60F5DPK-01#T0 |
| PNEDA Teilenummer | RJP60F5DPK-01-T0 |
| Beschreibung | IGBT 600V 80A 260.4W |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.300 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 20 - Nov 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RJP60F5DPK-01#T0 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJP60F5DPK-01#T0 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJP60F5DPK-01#T0, RJP60F5DPK-01#T0 Datenblatt
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RJP60F5DPK-01#T0 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 260.4W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 74nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 53ns/90ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 6A Leistung - max 68W Schaltenergie 215µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/220ns Testbedingung 400V, 6A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 57A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 114A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 33A Leistung - max 200W Schaltenergie 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 251nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/845ns Testbedingung 960V, 33A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie Alpha IGBT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 15A Leistung - max 214W Schaltenergie 290µJ (on), 200µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 13ns/116ns Testbedingung 400V, 15A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 317ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak) |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 75A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.42V @ 15V, 25A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
