Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RJP60F5DPK-01#T0

RJP60F5DPK-01#T0

Nur als Referenz

Teilenummer RJP60F5DPK-01#T0
PNEDA Teilenummer RJP60F5DPK-01-T0
Beschreibung IGBT 600V 80A 260.4W
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 6.300
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RJP60F5DPK-01#T0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJP60F5DPK-01#T0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJP60F5DPK-01#T0, RJP60F5DPK-01#T0 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 80,35 KB)
PDFRJP60F5DPK-01#T0 Datenblatt Cover
RJP60F5DPK-01#T0 Datenblatt Seite 2 RJP60F5DPK-01#T0 Datenblatt Seite 3 RJP60F5DPK-01#T0 Datenblatt Seite 4 RJP60F5DPK-01#T0 Datenblatt Seite 5 RJP60F5DPK-01#T0 Datenblatt Seite 6 RJP60F5DPK-01#T0 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RJP60F5DPK-01#T0 Datasheet
  • where to find RJP60F5DPK-01#T0
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America RJP60F5DPK-01#T0
  • RJP60F5DPK-01#T0 PDF Datasheet
  • RJP60F5DPK-01#T0 Stock

  • RJP60F5DPK-01#T0 Pinout
  • Datasheet RJP60F5DPK-01#T0
  • RJP60F5DPK-01#T0 Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • RJP60F5DPK-01#T0 Price
  • RJP60F5DPK-01#T0 Distributor

RJP60F5DPK-01#T0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 40A
Leistung - max260.4W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge74nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.53ns/90ns
Testbedingung400V, 30A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRG7CH35UED

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IGC27T120T8QX1SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 25A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

132A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

800µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

86nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/90ns

Testbedingung

400V, 36A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

36ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGH20N6S2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

25µJ (on), 58µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

7.7ns/87ns

Testbedingung

390V, 7A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

AOB15B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

Leistung - max

214W

Schaltenergie

290µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/116ns

Testbedingung

400V, 15A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

317ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D2Pak)

Kürzlich verkauft

ATXMEGA32A4U-AU

ATXMEGA32A4U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 32KB FLASH 44TQFP

SSC54HE3_A/H

SSC54HE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

PSMN4R5-30YLC,115

PSMN4R5-30YLC,115

Nexperia

MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK

LTM4605IV#PBF

LTM4605IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-16V 5A

TDA06H0SB1

TDA06H0SB1

C&K

SWITCH SLIDE DIP SPST 25MA 24V

FDS4935BZ

FDS4935BZ

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC

AD8032ARZ-REEL7

AD8032ARZ-REEL7

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

0451007.MRL

0451007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC 2SMD

MAX3486ESA+T

MAX3486ESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

XC3SD3400A-4CSG484LI

XC3SD3400A-4CSG484LI

Xilinx

IC FPGA 309 I/O 484CSBGA

D1213A-04TS-7

D1213A-04TS-7

Diodes Incorporated

TVS DIODE 3.3V 10V TSOT-26

GSOT05C-E3-08

GSOT05C-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 5V 16V SOT23-3