Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXBT42N300HV

IXBT42N300HV

Nur als Referenz

Teilenummer IXBT42N300HV
PNEDA Teilenummer IXBT42N300HV
Beschreibung IGBT 3000V 42A 357W TO268
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.460
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXBT42N300HV Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBT42N300HV
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBT42N300HV, IXBT42N300HV Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 260,34 KB)
PDFIXBT42N300HV Datenblatt Cover
IXBT42N300HV Datenblatt Seite 2 IXBT42N300HV Datenblatt Seite 3 IXBT42N300HV Datenblatt Seite 4 IXBT42N300HV Datenblatt Seite 5 IXBT42N300HV Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXBT42N300HV Datasheet
  • where to find IXBT42N300HV
  • IXYS

  • IXYS IXBT42N300HV
  • IXBT42N300HV PDF Datasheet
  • IXBT42N300HV Stock

  • IXBT42N300HV Pinout
  • Datasheet IXBT42N300HV
  • IXBT42N300HV Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXBT42N300HV Price
  • IXBT42N300HV Distributor

IXBT42N300HV Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3000V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)104A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)400A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 42A
Leistung - max500W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge200nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.72ns/445ns
Testbedingung1500V, 42A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)1.7µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXGY2N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

8A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/300ns

Testbedingung

960V, 2A, 150Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

HGTG20N60A4D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

105µJ (on), 150µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/73ns

Testbedingung

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

10mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

80ns/400ns

Testbedingung

800V, 35A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

APT25GN120B2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

67A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

272W

Schaltenergie

2.15µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/280ns

Testbedingung

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

SGH30N60RUFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 30A

Leistung - max

235W

Schaltenergie

919µJ (on), 814µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/54ns

Testbedingung

300V, 30A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

Kürzlich verkauft

MX25L25735FMI-10G

MX25L25735FMI-10G

Macronix

IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOP

NTS0104BQ,115

NTS0104BQ,115

NXP

IC TRNSLTR BIDIR 14DHVQFN

MAX690AESA+T

MAX690AESA+T

Maxim Integrated

IC SUPERVISOR MPU 8-SOIC

16SVPF180M

16SVPF180M

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM POLY 180UF 20% 16V SMD

FDS9431A

FDS9431A

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC

MIC29302BU

MIC29302BU

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 3A TO263-5

RB751S40

RB751S40

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 30MA SOD523F

NFA31GD1014704D

NFA31GD1014704D

Murata

FILTER RC 47 OHM/100PF SMD

E-TEA3717DP

E-TEA3717DP

STMicroelectronics

IC MOTOR DRVR BIPOLAR 16POWERDIP

VLS252010ET-1R0N

VLS252010ET-1R0N

TDK

FIXED IND 1UH 1.75A 84 MOHM SMD

MPX5010DP

MPX5010DP

NXP

SENSOR DIFF PRESS 1.45 PSI MAX

STM8S003F3P6

STM8S003F3P6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20TSSOP