APT25GN120B2DQ2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT25GN120B2DQ2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT25GN120B2DQ2G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 67A 272W TMAX | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 2.224 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 12 - Apr 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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APT25GN120B2DQ2G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT25GN120B2DQ2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT25GN120B2DQ2G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 67A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 75A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 272W |
| Schaltenergie | 2.15µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 155nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/280ns |
| Testbedingung | 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 Variant |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 41A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 82A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 21A Leistung - max 160W Schaltenergie 1.04mJ (on), 3.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 86nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 24ns/220ns Testbedingung 960V, 21A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 45A Leistung - max 300W Schaltenergie 360µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/151ns Testbedingung 400V, 45A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 498ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 430V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.0V @ 5V, 10A Leistung - max 125W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 22nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 500ns/4µs Testbedingung 300V, 8A, 100Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 80µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/116ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
