RGPR30BM40HRTL
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| Teilenummer | RGPR30BM40HRTL |
| PNEDA Teilenummer | RGPR30BM40HRTL |
| Beschreibung | 400V 30A IGNITION IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGPR30BM40HRTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGPR30BM40HRTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGPR30BM40HRTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 430V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.0V @ 5V, 10A |
| Leistung - max | 125W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 22nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 500ns/4µs |
| Testbedingung | 300V, 8A, 100Ohm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 60A Leistung - max 306W Schaltenergie 2.46mJ (on), 520µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25.6ns/71ns Testbedingung 400V, 60A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 110ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 54A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 96A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max 167W Schaltenergie 55µJ (on), 50µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/96ns Testbedingung 390V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 50A Leistung - max 223W Schaltenergie 1.1mJ (on), 1.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 310nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 117ns/285ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 77ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 160W Schaltenergie 110µJ (on), 230µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 98nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/100ns Testbedingung 480V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 26A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 5A Leistung - max 90W Schaltenergie 110µJ (on), 135µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18.2nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/215ns Testbedingung 400V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
