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IXYA50N65C3

IXYA50N65C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYA50N65C3
PNEDA Teilenummer IXYA50N65C3
Beschreibung IGBT 650V 130A 600W TO263
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.074
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXYA50N65C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYA50N65C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYA50N65C3, IXYA50N65C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 263,7 KB)
PDFIXYA50N65C3 Datenblatt Cover
IXYA50N65C3 Datenblatt Seite 2 IXYA50N65C3 Datenblatt Seite 3 IXYA50N65C3 Datenblatt Seite 4 IXYA50N65C3 Datenblatt Seite 5 IXYA50N65C3 Datenblatt Seite 6

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IXYA50N65C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)130A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 36A
Leistung - max600W
Schaltenergie1.3mJ (on), 370µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge80nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.22ns/80ns
Testbedingung400V, 36A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

320µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/135ns

Testbedingung

720V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

400µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/143ns

Testbedingung

360V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.85V @ 15V, 20A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 4.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

105nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/251ns

Testbedingung

960V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

84ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IKD04N60RF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

110µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/116ns

Testbedingung

400V, 4A, 43Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 30A

Leistung - max

394W

Schaltenergie

630µA (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/200ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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