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IKD04N60RF

IKD04N60RF

Nur als Referenz

Teilenummer IKD04N60RF
PNEDA Teilenummer IKD04N60RF
Beschreibung IGBT 600V 8A 75W TO252-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.430
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Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IKD04N60RF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKD04N60RF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKD04N60RF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)8A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)12A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 4A
Leistung - max75W
Schaltenergie110µJ
EingabetypStandard
Gate Charge27nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/116ns
Testbedingung400V, 4A, 43Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)34ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketPG-TO252-3

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

108A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

500µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/103ns

Testbedingung

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

IRGP50B60PD1-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.85V @ 15V, 50A

Leistung - max

390W

Schaltenergie

255µJ (on), 375µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

205nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/130ns

Testbedingung

390V, 33A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

HGTG30N60A4D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

463W

Schaltenergie

280µJ (on), 240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

390V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

55ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

FGD3440G2-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26.9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.2V @ 4V, 6A

Leistung - max

166W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

24nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5.3µs

Testbedingung

300V, 6.5A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

STGWA25M120DF3

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

850µJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

600V, 25A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

265ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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