STGWA25M120DF3
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| Teilenummer | STGWA25M120DF3 |
| PNEDA Teilenummer | STGWA25M120DF3 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 50A 375W TO247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.130 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 19 - Apr 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGWA25M120DF3 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGWA25M120DF3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGWA25M120DF3 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 375W |
| Schaltenergie | 850µJ (on), 1.3mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 85nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 28ns/150ns |
| Testbedingung | 600V, 25A, 15Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 265ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 Long Leads |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max 216W Schaltenergie 1mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/240ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 120ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 24A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 8A Leistung - max 70W Schaltenergie 70µJ (on), 30µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 22nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/115ns Testbedingung 400V, 4A, 48Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A Leistung - max 184W Schaltenergie 150µJ (on), 215µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 6ns/105ns Testbedingung 400V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 [K] |
