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AOB15B60D

AOB15B60D

Nur als Referenz

Teilenummer AOB15B60D
PNEDA Teilenummer AOB15B60D
Beschreibung IGBT 600V 30A 167W TO263
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 5.814
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

AOB15B60D Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAOB15B60D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
AOB15B60D, AOB15B60D Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 680,85 KB)
PDFAOB15B60D Datenblatt Cover
AOB15B60D Datenblatt Seite 2 AOB15B60D Datenblatt Seite 3 AOB15B60D Datenblatt Seite 4 AOB15B60D Datenblatt Seite 5 AOB15B60D Datenblatt Seite 6 AOB15B60D Datenblatt Seite 7 AOB15B60D Datenblatt Seite 8 AOB15B60D Datenblatt Seite 9

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AOB15B60D Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
SerieAlpha IGBT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 15A
Leistung - max167W
Schaltenergie420µJ (on), 110µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge25.4nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.21ns/73ns
Testbedingung400V, 15A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)196ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263 (D2Pak)

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Global Power Technologies Group

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

223W

Schaltenergie

2.8mJ (on), 480µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/150ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

425ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

NGTB50N65FL2WAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

420µJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

215nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/123ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

94ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

SGB06N60ATMA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 6A

Leistung - max

68W

Schaltenergie

215µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/220ns

Testbedingung

400V, 6A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3

FGH25N120FTDS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

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96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

161A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 32A

Leistung - max

416W

Schaltenergie

534µJ (on), 466µJ (off)

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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