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GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Nur als Referenz

Teilenummer GPA020A120MN-FD
PNEDA Teilenummer GPA020A120MN-FD
Beschreibung IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
Hersteller Global Power Technologies Group
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Auf Lager 8.640
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

GPA020A120MN-FD Ressourcen

Marke Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerGPA020A120MN-FD
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
GPA020A120MN-FD, GPA020A120MN-FD Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 453,05 KB)
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GPA020A120MN-FD Technische Daten

HerstellerGlobal Power Technologies Group
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Leistung - max223W
Schaltenergie2.8mJ (on), 480µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/150ns
Testbedingung600V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)425ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3
LieferantengerätepaketTO-3PN

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

15.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

Leistung - max

52W

Schaltenergie

62µJ (on), 39µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/110ns

Testbedingung

400V, 3A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

77ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

RJH1CF6RDPQ-80#T2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

227.2W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

FGH75T65SQDTL4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

-

Schaltenergie

307µJ (on), 266µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/276ns

Testbedingung

400V, 18.8A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

76ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247

IKW75N65ES5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 75A

Leistung - max

395W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

164nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/144ns

Testbedingung

400V, 75A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

42nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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