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APT54GA60B

APT54GA60B

Nur als Referenz

Teilenummer APT54GA60B
PNEDA Teilenummer APT54GA60B
Beschreibung IGBT 600V 96A 416W TO-247
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.464
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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APT54GA60B Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAPT54GA60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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APT54GA60B Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
SeriePOWER MOS 8™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)96A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)161A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 32A
Leistung - max416W
Schaltenergie534µJ (on), 466µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge158nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.17ns/112ns
Testbedingung400V, 32A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 [B]

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

830µJ (on), 360µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

66nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/110ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGH60N60SMD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 60A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

1.26mJ (on), 450µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

189nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/104ns

Testbedingung

400V, 60A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

39ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

GPA030A120MN-FD

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

329W

Schaltenergie

4.5mJ (on), 850µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

330nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/245ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

450ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

NGB8206NTF4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

390V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5µs

Testbedingung

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IGW40N65H5FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

255W

Schaltenergie

390µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/165ns

Testbedingung

400V, 20A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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