APT54GA60B
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| Teilenummer | APT54GA60B |
| PNEDA Teilenummer | APT54GA60B |
| Beschreibung | IGBT 600V 96A 416W TO-247 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.464 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT54GA60B Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT54GA60B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT54GA60B Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 8™ |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 96A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 161A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 32A |
| Leistung - max | 416W |
| Schaltenergie | 534µJ (on), 466µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 158nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/112ns |
| Testbedingung | 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 22A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 4A Leistung - max 63W Schaltenergie 73µJ (on), 47µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/100ns Testbedingung 400V, 4A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 93ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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