IRGS4B60KD1PBF
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| Teilenummer | IRGS4B60KD1PBF |
| PNEDA Teilenummer | IRGS4B60KD1PBF |
| Beschreibung | IGBT 600V 11A 63W D2PAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.958 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRGS4B60KD1PBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRGS4B60KD1PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IRGS4B60KD1PBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 11A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 22A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Leistung - max | 63W |
| Schaltenergie | 73µJ (on), 47µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 12nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/100ns |
| Testbedingung | 400V, 4A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 93ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 48A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 30A Leistung - max 235W Schaltenergie 919µJ (on), 814µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 85nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/54ns Testbedingung 300V, 30A, 7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 95ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
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