NGTB50N65FL2WAG
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| Teilenummer | NGTB50N65FL2WAG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB50N65FL2WAG |
| Beschreibung | IGBT FIELD STOP 650V TO247-4 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.624 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 10 - Apr 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB50N65FL2WAG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB50N65FL2WAG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
NGTB50N65FL2WAG, NGTB50N65FL2WAG Datenblatt
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NGTB50N65FL2WAG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 160A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 417W |
| Schaltenergie | 420µJ (on), 550µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 215nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/123ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 94ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-4L |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 56A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 65A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A Leistung - max 250W Schaltenergie 130µJ (on), 121µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 55nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 8ns/29ns Testbedingung 400V, 15A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 [K] |
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