NGTB50N65FL2WAG
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| Teilenummer | NGTB50N65FL2WAG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB50N65FL2WAG |
| Beschreibung | IGBT FIELD STOP 650V TO247-4 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.624 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB50N65FL2WAG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB50N65FL2WAG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
NGTB50N65FL2WAG, NGTB50N65FL2WAG Datenblatt
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NGTB50N65FL2WAG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 160A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 417W |
| Schaltenergie | 420µJ (on), 550µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 215nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/123ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 94ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-4L |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 124A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A Leistung - max 100W Schaltenergie 630µJ (on), 1.39mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 42ns/230ns Testbedingung 480V, 17A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™, Lightspeed™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 54W Schaltenergie 70µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 9ns/65ns Testbedingung 480V, 7A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 (IXGA) |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A Leistung - max 85W Schaltenergie 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/60ns Testbedingung 480V, 12A, 18Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS220™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS220™ |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 480W Schaltenergie 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 138nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/115ns Testbedingung 480V, 40A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 35ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™, XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 240A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 700A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 120A Leistung - max 1500W Schaltenergie 6.75mJ (on), 5.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 412nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 35ns/176ns Testbedingung 600V, 100A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PLUS247™-3 |
