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IXGR35N120BD1

IXGR35N120BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR35N120BD1
PNEDA Teilenummer IXGR35N120BD1
Beschreibung IGBT 1200V 54A 250W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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IXGR35N120BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR35N120BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR35N120BD1, IXGR35N120BD1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 520,11 KB)
PDFIXGR35N120BD1 Datenblatt Cover
IXGR35N120BD1 Datenblatt Seite 2

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IXGR35N120BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)54A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 35A
Leistung - max250W
Schaltenergie900µJ (on), 3.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/270ns
Testbedingung960V, 35A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)40ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Leistung - max

33W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

IRGP4262D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 24A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

520µJ (on), 240µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

24ns/73ns

Testbedingung

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

RJH1CV7DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 35A

Leistung - max

320W

Schaltenergie

3.2mJ (on), 2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

166nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/185ns

Testbedingung

600V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3P

IKFW60N60DH3EXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

53A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

141W

Schaltenergie

1.57mJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/170ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

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Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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