IXYP8N90C3
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| Teilenummer | IXYP8N90C3 |
| PNEDA Teilenummer | IXYP8N90C3 |
| Beschreibung | IGBT 900V 20A 125W TO220 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.320 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXYP8N90C3 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXYP8N90C3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IXYP8N90C3 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | GenX3™, XPT™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 900V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 48A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 8A |
| Leistung - max | 125W |
| Schaltenergie | 460µJ (on), 180µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 13.3nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 16ns/40ns |
| Testbedingung | 450V, 8A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 150W Schaltenergie 2mJ (on), 3.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/600ns Testbedingung 480V, 20A, 82Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AE Lieferantengerätepaket TO-204AE |
Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 225A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 460A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 70A Leistung - max 830W Schaltenergie 1.27mJ (on), 2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 168nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/150ns Testbedingung 400V, 50A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 63A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 252A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A Leistung - max 208W Schaltenergie 1.05mJ (on), 2.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 162nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 75A Leistung - max 938W Schaltenergie 3.4mJ (on), 2.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 370nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/303ns Testbedingung 600V, 75A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 292ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket PG-TO247-4 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 8™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 78A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 130A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 26A Leistung - max 337W Schaltenergie 409µJ (on), 258µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 128nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/84ns Testbedingung 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
