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HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

Nur als Referenz

Teilenummer HGTG30N60C3D
PNEDA Teilenummer HGTG30N60C3D
Beschreibung IGBT 600V 63A 208W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 16.188
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HGTG30N60C3D Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTG30N60C3D
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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HGTG30N60C3D Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)63A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)252A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 30A
Leistung - max208W
Schaltenergie1.05mJ (on), 2.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge162nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

190nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/70ns

Testbedingung

480V, 40A, 2.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

FGP40N6S2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

115µJ (on), 195µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/35ns

Testbedingung

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

STGP19NC60WD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

81µJ (on), 125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/90ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGD10NC60ST4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

60µJ (on), 340µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/160ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

410A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Leistung - max

1560W

Schaltenergie

5mJ (on), 4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/370ns

Testbedingung

400V, 100A, 0Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

108ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Kürzlich verkauft

NLC453232T-150K-PF

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TDK

FIXED IND 15UH 450MA 700 MOHM

VLS252010ET-1R0N

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TDK

FIXED IND 1UH 1.75A 84 MOHM SMD

NFA31GD1014704D

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Murata

FILTER RC 47 OHM/100PF SMD

SMLVT3V3

SMLVT3V3

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TVS DIODE 3.3V 10.3V SMB

74HC74A

74HC74A

MICROSS/On Semiconductor

IC FF D-TYPE DUAL DIE

ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

Abracon

XTAL OSC VCTCXO 38.4000MHZ SNWV

RO-1212S

RO-1212S

Recom Power

DC DC CONVERTER 12V 1W

ATMEGA128-16AU

ATMEGA128-16AU

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 128KB FLASH 64TQFP

BSS138

BSS138

MICROSS/On Semiconductor

MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

16SVPF180M

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Panasonic Electronic Components

CAP ALUM POLY 180UF 20% 16V SMD

MC14066BDR2G

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MPX5010DP

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