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FGH75T65SHDT-F155

FGH75T65SHDT-F155

Nur als Referenz

Teilenummer FGH75T65SHDT-F155
PNEDA Teilenummer FGH75T65SHDT-F155
Beschreibung IGBT 650V 150A 455W TO-247
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $63,8048
100 ---------- $60,8139
250 ---------- $57,8231
500 ---------- $54,8323
750 ---------- $52,3399
1.000 ---------- $49,8475
Auf Lager 2
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGH75T65SHDT-F155 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH75T65SHDT-F155
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH75T65SHDT-F155, FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 12.099,83 KB)
PDFFGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Cover
FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 2 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 3 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 4 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 5 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 6 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 7 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 8 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 9

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FGH75T65SHDT-F155 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
Leistung - max455W
Schaltenergie3mJ (on), 750µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge123nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/86ns
Testbedingung400V, 75A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)76ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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APT13GP120BDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 13A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

115µJ (on), 165µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/28ns

Testbedingung

600V, 13A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

APT45GP120BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

170A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

900µJ (on), 904µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

185nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/102ns

Testbedingung

600V, 45A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IGW15N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

217W

Schaltenergie

1.55mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

75nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/260ns

Testbedingung

600V, 15A, 35Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 40A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

830µJ (on), 360µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

66nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/110ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

700A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 120A

Leistung - max

1500W

Schaltenergie

6.75mJ (on), 5.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

412nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/176ns

Testbedingung

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXYK)

Kürzlich verkauft

MX25L25735FMI-10G

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LTC4009CUF-2#TRPBF

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MLX90614ESF-DCI-000-TU

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DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123

SMBJ26A-13-F

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TVS DIODE 26V 42.1V SMB

SMBJ36A

SMBJ36A

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

PESD0402-140

PESD0402-140

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TVS DIODE 14V 40V 0402