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FGH75T65SHDT-F155

FGH75T65SHDT-F155

Nur als Referenz

Teilenummer FGH75T65SHDT-F155
PNEDA Teilenummer FGH75T65SHDT-F155
Beschreibung IGBT 650V 150A 455W TO-247
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis
1 ---------- $63,8048
100 ---------- $60,8139
250 ---------- $57,8231
500 ---------- $54,8323
750 ---------- $52,3399
1.000 ---------- $49,8475
Auf Lager 2
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Voraussichtliche Lieferung Jan 14 - Jan 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FGH75T65SHDT-F155 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH75T65SHDT-F155
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH75T65SHDT-F155, FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 12.099,83 KB)
PDFFGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Cover
FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 2 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 3 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 4 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 5 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 6 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 7 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 8 FGH75T65SHDT-F155 Datenblatt Seite 9

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FGH75T65SHDT-F155 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
Leistung - max455W
Schaltenergie3mJ (on), 750µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge123nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/86ns
Testbedingung400V, 75A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)76ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

42A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 7.8A

Leistung - max

49W

Schaltenergie

240µJ (on), 260µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

23nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/160ns

Testbedingung

480V, 7.8A, 75Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

28ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IKD04N60RFATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

75W

Schaltenergie

60µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/116ns

Testbedingung

400V, 4A, 43Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

34ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

700A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 120A

Leistung - max

1500W

Schaltenergie

6.75mJ (on), 5.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

412nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/176ns

Testbedingung

600V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXYK)

APT30GT60KRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

64A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

525µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/225ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220 [K]

IRG4RC10KPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

Schaltenergie

160µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

11ns/51ns

Testbedingung

480V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

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