APT13GP120BDQ1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT13GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT13GP120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 41A 250W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
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| Auf Lager | 7.732 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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APT13GP120BDQ1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT13GP120BDQ1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT13GP120BDQ1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | POWER MOS 7® |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 41A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 50A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 13A |
| Leistung - max | 250W |
| Schaltenergie | 115µJ (on), 165µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 55nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 9ns/28ns |
| Testbedingung | 600V, 13A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 3A Leistung - max 48W Schaltenergie 1.15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 125µs/- Testbedingung 480V, 3A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 16A Leistung - max 190W Schaltenergie 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/116ns Testbedingung 480V, 16A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 30ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263 AA (IXSA) |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 11A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 4A Leistung - max 58W Schaltenergie 140µJ (on), 62µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/120ns Testbedingung 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 48ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A Leistung - max 220W Schaltenergie 120µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 38nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/42ns Testbedingung 300V, 20A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
