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STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGD3NB60SDT4
PNEDA Teilenummer STGD3NB60SDT4
Beschreibung IGBT 600V 6A 48W DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.488
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 27 - Apr 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STGD3NB60SDT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGD3NB60SDT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGD3NB60SDT4, STGD3NB60SDT4 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 307,21 KB)
PDFSTGD3NB60SD-1 Datenblatt Cover
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STGD3NB60SDT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)25A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.5V @ 15V, 3A
Leistung - max48W
Schaltenergie1.15mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge18nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.125µs/-
Testbedingung480V, 3A, 1kOhm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)1.7µs
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketDPAK

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IGP30N65F5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

188W

Schaltenergie

280µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/170ns

Testbedingung

400V, 15A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

RJH65T04BDPMA0#T2F

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 30A

Leistung - max

65W

Schaltenergie

360µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

74nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/115ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

SC-94

Lieferantengerätepaket

TO-3PFP

FGM603

Sanken

Hersteller

Sanken

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

130ns/340ns

Testbedingung

300V, 30A

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

IXBF32N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.5µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

i4-Pac™-5 (3 Leads)

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS i4-PAC™

APT70GR65B2DU40

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

134A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 70A

Leistung - max

595W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

305nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/170ns

Testbedingung

433V, 70A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

T-MAX™ [B2]

Kürzlich verkauft

FGH75T65UPD

FGH75T65UPD

ON Semiconductor

IGBT 650V 150A 375W TO-247AB

VLS252012HBX-2R2M-1

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TDK

FIXED IND 2.2UH 2.3A 102 MOHM

MF-MSMF260-2

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Bourns

PTC RESET FUSE 6V 2.6A 1812

ADP150AUJZ-3.3-R7

ADP150AUJZ-3.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 150MA TSOT5

MC68HC908GP32CFB

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NXP

IC MCU 8BIT 32KB FLASH 44QFP

MAX942EUA+T

MAX942EUA+T

Maxim Integrated

IC COMPARATOR R-R 8-UMAX

AD420ARZ-32-REEL

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SMF5.0A

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TVS DIODE 5V 9.2V SOD123F

ADP191ACBZ-R7

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IC CTLR HIGH LSIDE PWR SW 4WLCSP

LTV-817S-TA1-D

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OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

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TVS DIODE 3.3V 10V TSOT-26

HDSP-0770

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DISPLAY 4X7 NUM RDP BCD HER