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IGP30N65F5XKSA1

IGP30N65F5XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGP30N65F5XKSA1
PNEDA Teilenummer IGP30N65F5XKSA1
Beschreibung IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.254
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IGP30N65F5XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGP30N65F5XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGP30N65F5XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)55A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
Leistung - max188W
Schaltenergie280µJ (on), 70µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge65nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/170ns
Testbedingung400V, 15A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketPG-TO220-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

430W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

960V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

TO-247HV

GPA040A120L-FD

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Leistung - max

480W

Schaltenergie

5.3mJ (on), 1.1mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

480nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

55ns/200ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264

FGP3040G2-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

900ns/4.8µs

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IXBX25N250

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 25A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

103nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.6µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

FGA40S65SH

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.81V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

194µJ (on), 388µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19.2ns/68.8ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

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