STGB7NC60HDT4
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| Teilenummer | STGB7NC60HDT4 |
| PNEDA Teilenummer | STGB7NC60HDT4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 25A 80W D2PAK |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.310 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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STGB7NC60HDT4 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGB7NC60HDT4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGB7NC60HDT4 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 50A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 7A |
| Leistung - max | 80W |
| Schaltenergie | 95µJ (on), 115µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 35nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 18.5ns/72ns |
| Testbedingung | 390V, 7A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 37ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.2A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 9.6A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A Leistung - max 62W Schaltenergie 220µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 11nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/260ns Testbedingung 800V, 2A, 91Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Lieferantengerätepaket PG-TO262-3-1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 80µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/116ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 15A Leistung - max 198W Schaltenergie 1.9mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/580ns Testbedingung 800V, 15A, 33Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 30A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie 190µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 64nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/168ns Testbedingung 400V, 10A, 26Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-313 |
